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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED外延性片生育单位,因生育进程中在使用砷化镓、酸洗铟等III-V族化学物质,废泥中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,设计方案解决范围1200吨/日。 废水处理有效成分及由来 MOCVD的设备洗掉废水处理 :含前三基镉、前三基铟等无机彩石单质 切除粉磨废液 :含納米级彩石颗粒状 镀膜污水 :含铜、镍等重金属化合物 外理艺工作流程 的创新主要包括"氧化物破络+高价属收集+膜破乳"組合工艺设计: 预工作单园 :添加亚硫酸氢钠转换充分五金络合物 主要外理单园 : 使用的DTCR高价属气体吸附剂成型不可溶性螯合物 超滤膜系统化(UF)挪用大团伙环境破坏物 反覆盖(RO)脱盐率>98% 淤泥整理单无 :离心式烘干后交给危险废物净化处理心中防范 从而特效 经再次方的检测: 总砷含磷量:0.05mg/L(国家标准0.5mg/L) 镉分量:0.01mg/L(执行标准0.1mg/L) 水使用率:75% 进行利润:3.8元/吨水

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