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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

顶目题材 某该项目为于长江三角洲型地区划分某部委级半导体技术产业的发展各园,企业的通常生產8厘米和12厘米晶圆,日产尼桑量起到2万片。伴随产能利用率大幅提升,以往的焦化废水加工整体已是无法提供的环保标准,肯定需要上升改装。该项目总创业约1五百万元,制定加工程度为300吨/日,于2022年成立 投用。 污废水 因素及特征 该各个企业晶圆片区工作导致的废水处理工艺重点分为之下组成: 激光切割全过程中便用的打磨液剩余的物,包括营养成分为二钝化硅科粒、外面生物剂和生物碳加剂 晶圆面冲洗生产的含氟工业废水,氟阳离子氨水浓度在80-120mg/L 一少部分巨资属阴离子如铜、镍等,种类于激光切割辅助工具变形 无机溶剂存留,涉及到异丙醇、二甲苯等 pH值动荡很大,一般性在4-10之間 处置方法生产流程 涉及生产废水性状,设计的选取"化学预除理+什么是生化除理+深度1除理"的组成流程: 调池 :营养均衡环境质量发电量,设有pH上线监测站和自動加量软件系统 沥青混凝土沉淀物 :加药PAC和PAM,剔除飘浮物和悬浊液材质 气浮象限 :选取溶气气浮生产工艺进1步清掉狗狗细小小粒和方面可挥发物 血生化加工处理 :用MBR膜生物学发应器,飞灰盐浓度持续在8000-10000mg/L 的深度办理 :灵活性炭过滤器粘附+反覆盖加工过程,以保证水流达到 厌氧颗粒污泥操作 :板框刮刀离心机脱水过滤,污泥干化水分含量率降到60%以下的 补救治疗效果 机系统维持运营后,有水出地表水全部高达《电子器件化工业水影响物排污标准规范》(GB39731-2020)比较排污规定值的要求: COD<30mg/L 氟阴阳离子<5mg/L 浮动物<10mg/L 天价属几项的指标均超过限制值 工程常年可减轻被污染的物排放标准量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收水率做到75%以上内容,为商家控制成本煤气费结余约130万元/年。

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